Emmanuele Sordini ha scritto:
Non è in effetti un parametro fondamentale, anche se vorrei capire quanto mi dissipa un diodo (Schottky oppure no, in realtà non sono espertissimo sulla differenza, se non che gli Schottky hanno una caduta di tensione un po' più bassa).
La potenza dissipata Pd = Vf * I dove Vf è la caduta di tensione (V "forward") quando il diodo è in conduzione (la dipendenza da I di Vf può essere più o meno importante - dipende dal diodo e dalla temperatura). In generale come hai segnalato la Vf di un diodo Schottky è minore di quella di un diodo al silicio. Quindi se ad esempio passano 3A e la caduta è 0.4V perdi 1.2W. Che è come dire 100mA a 12V.
Un MOSFET può avere una Rds_on dell'ordine di grandezza dei mOhm. Cioè con il canale in conduzione si comporta circa come una resistenza da poco-niente. Se ad esempio fosse 10 mOhm, coi 3A di prima avresti una caduta di 30 mV e perderesti 90mW. Non male...
Emmanuele Sordini ha scritto:
Non è affatto OT, grazie per la dritta. Quando e se mi girerà di investire tempo e denaro per rifarmi le cablature (non a breve
), lo terrò senz'altro in considerazione.
Prego!
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